鉭——一種略帶藍色的戰(zhàn)略金屬，英文名叫TANTALUM，具有2900 度以上的熔點（僅次于鎢和錸）和6.5 的莫氏硬度（鉆石是10）以及令人難以置信的耐酸堿性（王水對其都沒用，而黃金碰到王水都會融化），以上特性給鉭帶來了難以加工的壞名聲，不過其極高的介電常數(shù)（27 是鋁的4 倍以上）和燒結(jié)后的海綿狀態(tài)以及超穩(wěn)定狀態(tài)卻讓電子元件生產(chǎn)廠商忍受千難萬苦也要把它應(yīng)用在電容上，最終裝備到軍用電子設(shè)備中。
1.漏電流少：同樣陰極是聚合物（PEDTPPY 等）鉭聚合物電容的漏電流只有鋁聚合物電容的幾分之一左右，以著名的三洋OSCON 的SVP 產(chǎn)品為例，其4V 33UF 的4SVP33M 漏電流（LC）為66UA 而同規(guī)格鉭聚合物電容一般僅為 12UA 左右，這代表顯卡如果用鉭聚合物電容濾波會更干凈，漏電流導致的脈沖會小。
2.損耗角?。哼€是拿4SVP33M 為例，其損耗角是0.15，而同規(guī)格鉭聚合物電容的DF（損耗角）則為0.08。0.15 與0.08 間差了0.10、 0.12 兩個數(shù)量級，損耗角小表示電容發(fā)熱會小很多，有利于提高電容壽命和增加顯卡穩(wěn)定性。
3.失效率低：失效率就是每工作一定時間電容可能會失效一次，注意是失效一次，而不是從此出故障了需要修理才能繼續(xù)或直接壞掉。鉭聚合物電容由于都是樹脂封裝，外加多層銀和石墨陰極鍍層和鉭導線所以電容失效率遠小于容易進入濕氣和被腐蝕的鋁聚合物電容，在美軍的一次試驗中 AVX 和 KEMET 的鉭聚合物電容在模擬運行了 1000000 小時中才出現(xiàn)一次失效，也就是說你想碰到一次鉭聚合物電容失效要等 110 多年，所以山姆的關(guān)鍵性電子設(shè)備都采用它是有道理的。
1） 各國電容器的型號命名很不統(tǒng)一，國產(chǎn)電容器的命名由四部分組成：
第一部分：用字母表示名稱，電容器為C。
第二部分：用字母表示材料。
第三部分：用數(shù)字表示分類。
第四部分：用數(shù)字表示序號。
2） 電容的標志方法：
（1） 直標法：用字母和數(shù)字把型號、規(guī)格直接標在外殼上。
（2） 文字符號法：用數(shù)字、文字符號有規(guī)律的組合來表示容量。文字符號表示其電容量的單位：P、N、u、m、F等。和電阻的表示方法相同。標稱允許偏差也和電阻的表示方法相同。小于10pF的電容，其允許偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F(xiàn)——±1pF。
（3） 色標法：和電阻的表示方法相同，單位一般為pF。小型電解電容器的耐壓也有用色標法的，位置靠近正極引出線的根部，
 
（4） 進口電容器的標志方法：進口電容器一般有6項組成。
第一項：用字母表示類別：
第二項：用兩位數(shù)字表示其外形、結(jié)構(gòu)、封裝方式、引線開始及與軸的關(guān)系。
第三項：溫度補償型電容器的溫度特性，有用字母的，也有用顏色的，其意義如下表所示：
第四項：用數(shù)字和字母表示耐壓，字母代表有效數(shù)值，數(shù)字代表被乘數(shù)的10的冪。
第五項：標稱容量，用三位數(shù)字表示，前兩位為有效數(shù)值，第三為是10的冪。當有小數(shù)時，用R或P表示。普通電容器的單位是pF，電解電容器的單位是uF。
第六項：允許偏差。用一個字母表示，意義和國產(chǎn)電容器的相同。 也有用色標法的，意義和國產(chǎn)電容器的標志方法相同。
（1） 容量與誤差：實際電容量和標稱電容量允許的最大偏差范圍。一般分為3級：I級±5%，II級±10%，III級±20%。在有些情況下，還有0級，誤差為±20%。
精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級。 常用的電容器其精度等級和電阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005級——±0.5%；F——01級——±1%；G——02級——±2%；J——I級——±5%；K——II級——±10%；M——III級——±20%。
（2） 額定工作電壓：電容器在電路中能夠長期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱耐壓。對于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。 （3） 溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1℃，電容量的相對變化值。溫度系數(shù)越小越好。
（4） 絕緣電阻：用來表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。 （5） 損耗：在電場的作用下，電容器在單位時間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。
（6） 頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電容器，由于介電常數(shù)在高頻時比低頻時小，電容量也相應(yīng)減小。損耗也隨頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會影響電容器的性能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。
不同品種的電容器，最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內(nèi)；圓片型瓷介電容器為300MHZ；圓管型瓷介電容器為200MHZ；圓盤型瓷介可達3000MHZ；小型紙介電容器為80MHZ；中型紙介電容器只有8MHZ。